[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-16] RFリアクティブマグネトロンスパッタ成膜NiOエピタキシャル薄膜の低温バッファ層の導入が与える影響

〇服部 汰星¹、杉山 睦^1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)

キーワード：

NiO、エピタキシャル成長、低温バッファ層

本研究では、RFリアクティブマグネトロンスパッタ法を用いてNiOエピタキシャル成膜を行い、NiO低温バッファ層の導入がNiOエピタキシャル薄膜へ与える影響の検討を行った。