[19p-P05-1~33] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" (Poster)

[19p-P05-19] Effects of Nitrogen Doping and Annealing on Electrical Properties of ZnO Films

〇Yumika Yamada^1,2, Haruki Ohmori², Shuhei Funaki², Yasuji Yamada² (1.Kobelco Res. Inst. Inc., 2.Shimane Univ.)

Keywords:

wide gap semiconductor,ZnO,sputtering deposition

ZnOはワイドギャップ半導体であり、発光材料として注目されている。発光デバイスとして応用するためにはp型とn型両方の作製が必須である。しかし、ZnOは自己補償効果により、p型化が困難であり、キャリア制御が課題となっている。Ar＋N₂混合雰囲気成膜によりZnO膜にN添加し、ZnO膜中に生成するキャリアの性質を明らかにするため、N添加ZnO膜の電気特性のアニール温度依存性を評価した。