[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-19] ZnO膜の電気特性におけるN添加とアニールの効果

〇山田 祐美加^1,2、大森 陽生²、舩木 修平²、山田 容士² (1.コベルコ科研、2.島根大自然)

キーワード：

ワイドギャップ半導体、酸化亜鉛、スパッタリング成膜

ZnOはワイドギャップ半導体であり、発光材料として注目されている。発光デバイスとして応用するためにはp型とn型両方の作製が必須である。しかし、ZnOは自己補償効果により、p型化が困難であり、キャリア制御が課題となっている。Ar＋N₂混合雰囲気成膜によりZnO膜にN添加し、ZnO膜中に生成するキャリアの性質を明らかにするため、N添加ZnO膜の電気特性のアニール温度依存性を評価した。