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[19p-P05-2]Study of Impurity Incorporation in β-Ga2O3 Films Grown by Mist CVD Method

〇(M2)Makoto Sugitani1, Tomohiro Yamaguchi1, Shohei Abe1, Kohei Sasaki2, Akito Kuramata2, Tohru Honda1, Takeyoshi Onuma1 (1.Kogakuin Univ., 2.Novel Crystal Technology, Inc.)
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Keywords:

gallium oxide,crystal growth,Mist CVD method

β-Ga2O3は, 4.5-4.9 eVのバンドギャップエネルギーを有することからパワーデバイスの開発が活発である. デバイス性能の向上には, 結晶欠陥が少なく残留不純物濃度の低いドリフト層の成膜が必須となる. Mist CVD法によるβ-Ga2O3成膜報告は少なく, 成長レートとして3.2 μm/hが報告されているが, 他の成膜手法と比べ, 制御性を含めて課題が残る. 当グループでもMist CVD法によるホモエピタキシャル成長を試みており, 原料濃度を増加させることで7 μm/h程度の高速成長に成功している. しかし, 課題は多い. 本研究ではMist CVD法β-Ga2O3成膜において, 成膜温度を変化させた際の不純物取り込みの変化について検討した.

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