[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-2] Mist CVD法β-Ga₂O₃成膜における不純物取り込みの検討

〇(M2)杉谷 諒¹、山口 智広¹、阿部 翔平¹、佐々木 公平²、倉又 朗人²、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大学、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、結晶成長、Mist CVD法

β-Ga₂O₃は, 4.5-4.9 eVのバンドギャップエネルギーを有することからパワーデバイスの開発が活発である. デバイス性能の向上には, 結晶欠陥が少なく残留不純物濃度の低いドリフト層の成膜が必須となる. Mist CVD法によるβ-Ga₂O₃成膜報告は少なく, 成長レートとして3.2 μm/hが報告されているが, 他の成膜手法と比べ, 制御性を含めて課題が残る. 当グループでもMist CVD法によるホモエピタキシャル成長を試みており, 原料濃度を増加させることで7 μm/h程度の高速成長に成功している. しかし, 課題は多い. 本研究ではMist CVD法β-Ga₂O₃成膜において, 成膜温度を変化させた際の不純物取り込みの変化について検討した.