[19p-P05-1~33] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" (Poster)

[19p-P05-28] Correlation between UPS Peak and Ozone Detection Sensitivity in Solution-processed IZO Thin Film

〇Hiroharu Sasajima¹, Takaaki Morimoto¹, Keisuke Ishii¹ (1.NDA)

Keywords:

IZO,UPS,ozone

これまで溶液法IGZO-TFTを用いて、オゾン反応に最適な組成比および作製条件を調べ、OH基が寄与することを報告した。IGZO膜内のOH基がオゾン反応に寄与する事が分かったが、その反応機構は不明であった。今回、より単純な組成であるIZO薄膜を分析した結果、OH基の存在が関連しているものと考えられる、フェルミエネルギーよりも高いエネルギーの電子がオゾンとの反応に寄与することが分かった。