[19p-P09-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19p-P09-1] Undoped GaAs/GaAsN superlattice evaluated by photoconductivity measurement

〇Ryota Wakasugi¹, Aoi Umeki¹, Riko Morita¹, Takashi Tsukasaki¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki Col.)

Keywords:

GaAs/GaAsN Superlattice,photoconductivity measurement

本研究では、RF-MBE法を用いてアンドープGaAs/GaAsN超格子を成長した。X線回折測定では、580 ℃で成長した超格子が良好なヘテロ界面を持つことが分かった。また、光伝導度測定では、1.2 ~ 1.35 eVのエネルギー領域で高い差分コンダクタンスを示したため、量子準位間の光吸収が確認されたものと考えられる。