[19p-P09-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-P09-1] 光伝導度測定によるアンドープGaAs/GaAsN 超格子の評価

〇若杉 遼太¹、梅木 蒼生¹、守田 璃子¹、塚崎 貴司¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：

GaAs/GaAsN 超格子、光伝導度測定

本研究では、RF-MBE法を用いてアンドープGaAs/GaAsN超格子を成長した。X線回折測定では、580 ℃で成長した超格子が良好なヘテロ界面を持つことが分かった。また、光伝導度測定では、1.2 ~ 1.35 eVのエネルギー領域で高い差分コンダクタンスを示したため、量子準位間の光吸収が確認されたものと考えられる。