[19p-P09-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19p-P09-13] Study on spin-polarized light-emitting diodes with different stacking numbers of InGaAs quantum dots layers

〇Itsu Tanaka¹, Seunghyeok Sim¹, Kohei Etou¹, Satoshi Hiura¹, Junichi Takayama¹, Agus Subagyo¹, Kazuhisa Sueoka¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:

spin-polarized light-emitting-diode,semiconductor quantum dot,electroluminescence

本研究ではQDの積層数を変えたスピンLEDを作製し、その電流注入発光(EL)特性を評価した。注入電流を増加させると、1層試料の方のEL発光強度が大きく増加した。これは1層試料では正孔リッチになっていることを示唆している。一方で、3層試料では注入電流を増加させると発光ピークがブルーシフトした。これは、注入電流の増加により発光の主体がサイズの小さい下部の量子ドット層に変化したことを示している。