[19p-P09-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-P09-13] InGaAs量子ドットの積層数を変えたスピン偏極発光ダイオードの研究

〇田中 壱¹、沈 承赫¹、江藤 亘平¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、スバギョ アグス¹、末岡 和久¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

スピン偏極発光ダイオード、半導体量子ドット、電流注入発光

本研究ではQDの積層数を変えたスピンLEDを作製し、その電流注入発光(EL)特性を評価した。注入電流を増加させると、1層試料の方のEL発光強度が大きく増加した。これは1層試料では正孔リッチになっていることを示唆している。一方で、3層試料では注入電流を増加させると発光ピークがブルーシフトした。これは、注入電流の増加により発光の主体がサイズの小さい下部の量子ドット層に変化したことを示している。