[19p-P09-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19p-P09-2] Electrical characteristics of Si-doped GaAsN after annealing

〇Tomoki Yoshida¹, Hirokazu Sasaki¹, Takashi Tsukasaki¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.Ichinoseki Col.)

Keywords:

semiconductor,anneal,electrical properties

窒素組成の低いSiドープGaAsNはバンドギャップエネルギーが小さくなるため,トンネルダイオードに利用することで,トンネル抵抗の低減が期待される。多接合型太陽電池内に応用するためには,トンネルダイオード上にトンネルダイオードよりも高い温度でセルを成長する必要がある。従って,SiドープGaAsNにおけるアニール温度依存性の解明が重要である。本研究では, アニールしたSiドープGaAsNに関して,ホール効果測定を用いて評価した。