[19p-P09-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-P09-2] アニールしたSiドープGaAsNの電気的特性

〇吉田 知生¹、佐々木 大航¹、塚崎 貴司¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：

半導体、アニール、電気的特性

窒素組成の低いSiドープGaAsNはバンドギャップエネルギーが小さくなるため,トンネルダイオードに利用することで,トンネル抵抗の低減が期待される。多接合型太陽電池内に応用するためには,トンネルダイオード上にトンネルダイオードよりも高い温度でセルを成長する必要がある。従って,SiドープGaAsNにおけるアニール温度依存性の解明が重要である。本研究では, アニールしたSiドープGaAsNに関して,ホール効果測定を用いて評価した。