[19p-P09-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19p-P09-3] Growth Temperature Dependence of Be-Doped GaAsN Using PL Characteristics

〇Sota Tanaka¹, Miki Fujita², Takashi Tsukasaki¹, Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College.)

Keywords:

Nitride semiconductor,MBE Growth,Optical Properties

低い窒素組成のGaAsN系混晶は、GaAsよりもバンドギャップが小さい特性を持つため、HBTへの応用が期待されている。また、PL法を用いてベース層を評価した報告があることから、本論文ではRF-MBE法を用いて成長したBeドープGaAsNのPL特性を評価した。主に、BeドープGaAsNにおけるPL発光強度及び、PLピークエネルギーの成長温度依存性について議論した。