[19p-P09-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-P09-3] PL法を用いたBeドープGaAsNの成長温度依存性の評価

〇田中 創太¹、藤田 実樹²、塚崎 貴司¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：

窒化物半導体、MBE成長、光学特性

低い窒素組成のGaAsN系混晶は、GaAsよりもバンドギャップが小さい特性を持つため、HBTへの応用が期待されている。また、PL法を用いてベース層を評価した報告があることから、本論文ではRF-MBE法を用いて成長したBeドープGaAsNのPL特性を評価した。主に、BeドープGaAsNにおけるPL発光強度及び、PLピークエネルギーの成長温度依存性について議論した。