[19p-P09-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19p-P09-4] Hole conduction mechanism in Be-doped AlGaAsN

〇Yoshiki Ono¹, Kou Inoue¹, Natsu Minami¹, Takashi Tsukasaki¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:

AlGaAsN,Be doping,Hole conduction mechanism

低い窒素組成のGaAsNでは、GaAsと比べて、電子の有効質量が増大する。そして、このGaAsNと比べて、AlGaAsNでは、電子の有効質量がさらに増大するものと考えられる。このため、励起子の束縛エネルギーが増大するので、AlGaAsN中には、励起子が安定に存在することが期待できる。以上より、デバイス応用に向けて、不純物ドープAlGaAsNにおける電気的特性の解明が必要である。そこで、本研究では、ホール効果測定によりBeドープAlGaAsNの電気伝導機構を評価した。