[19p-P09-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-P09-4] BeドープAlGaAsNにおける電気伝導機構

〇小野 芳樹¹、井上 洸¹、南 奈津¹、塚崎 貴司¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：

AlGaAsN、Beドーピング、電気伝導機構

低い窒素組成のGaAsNでは、GaAsと比べて、電子の有効質量が増大する。そして、このGaAsNと比べて、AlGaAsNでは、電子の有効質量がさらに増大するものと考えられる。このため、励起子の束縛エネルギーが増大するので、AlGaAsN中には、励起子が安定に存在することが期待できる。以上より、デバイス応用に向けて、不純物ドープAlGaAsNにおける電気的特性の解明が必要である。そこで、本研究では、ホール効果測定によりBeドープAlGaAsNの電気伝導機構を評価した。