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[19p-P10-2]Improvement of semiconductor properties of MoOx films with N2 annealing prepared by ECR

〇Takuma Yoshida1, Futa Imai1, Yoji Saito2, Yasuyuki Kobayashi1, Ryosuke Watanabe1 (1.Hirosaki Univ., 2.Seikei Univ.)
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Keywords:

Silicon Solar Cells,molybdenum oxide,Hetero-Junction Solar Cells

酸化モリブデン(MoOx)は仕事関数が5 eV程度と大きく、シリコンとヘテロ接合を形成することで接合界面のバンドが曲がり、太陽電池として機能する。本研究ではSi基板上にMoOxをECRスパッタ法により成膜し、N2アニールを行うことでMoOx/Siヘテロ接合太陽電池を作製した。作製した試料の半導体特性、太陽電池特性についてI-V測定、XRD測定、XPS測定を行い評価した。

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