[20a-A22-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[20a-A22-10] Epitaxial Growth of LiGa₅O₈ Thin Films via Mist CVD Method

〇Takumi Ikenoue¹, Ryo Horiuchi¹, Masao Miyake¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

mist CVD method,Wide bandgap oxide semiconductor

本講演では、5.2eVの大きなバンドギャップを有しつつp型を示すLiGa₅O₈薄膜のミストCVD法を用いたエピタキシャル成長とその電気特性について紹介する。