[20a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:30 〜 11:45

[20a-A22-10] ミストCVD法を用いたLiGa₅O₈薄膜のエピタキシャル成長

〇池之上 卓己¹、堀内 亮¹、三宅 正男¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：

ミストCVD法、ワイドバンドギャップ酸化物半導体

本講演では、5.2eVの大きなバンドギャップを有しつつp型を示すLiGa₅O₈薄膜のミストCVD法を用いたエピタキシャル成長とその電気特性について紹介する。