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[20a-A24-3]Causes of leakage current of vertical GaN p-n junction diodes under reverse bias

〇Tomoaki Sumi1, Hiroyuki Handa1, Masahiro Ogawa1, Naohiro Tsurumi1, Junichi Takino1, Satoshi Tamura1, Yoshio Okayama1 (1.Panasonic Holdings Corp.)

Keywords:

GaN,leakage,pn diode

縦型GaNパワーデバイスのpn接合部のリーク要因として、近年では転位以外に表面荒れとの関係が指摘されている。今回リーク原因に関して結晶を評価した。リークが見られたpnダイオードと同条件で得たn-GaN表面はステップ状の稜線構造を有していた。稜線の左右では原子ステップ間隔が異なり、C取込の差によりキャリア濃度が異なると推定できた。稜線構造部ではキャリア濃度が高い領域と低い領域が見られ、電界集中の可能性を示していた。

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