[20a-A24-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45

[20a-A24-3] 縦型GaN pnダイオードの逆バイアス下でのリークメカニズムの検討

〇隅 智亮¹、半田 浩之¹、小川 雅弘¹、鶴見 直大¹、滝野 淳一¹、田村 聡之¹、岡山 芳央¹ (1.パナソニックホールディングス株式会社)

キーワード：

GaN、リーク、pnダイオード

縦型GaNパワーデバイスのpn接合部のリーク要因として、近年では転位以外に表面荒れとの関係が指摘されている。今回リーク原因に関して結晶を評価した。リークが見られたpnダイオードと同条件で得たn-GaN表面はステップ状の稜線構造を有していた。稜線の左右では原子ステップ間隔が異なり、C取込の差によりキャリア濃度が異なると推定できた。稜線構造部ではキャリア濃度が高い領域と低い領域が見られ、電界集中の可能性を示していた。