[20a-A24-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[20a-A24-5] Evaluation of neutron detection characteristics of BGaN detectors grown on Si and QST substrate by using long wavelength neutron

〇Kosuke Ando¹, Shun Nishikawa¹, Tatsuhiro Sakurai¹, Seiya Kawasaki², Masahiro Hino⁴, Yoshio Honda⁵, Hiroshi Amano⁵, Kota Matsumoto⁶, Norikazu Ito⁶, Taketoshi Tanaka⁶, Ken Nakahara⁶, Yoku Inoue¹, Toru Aoki³, Takayuki Nakano^1,3 (1.Shizuoka Univ., 2.Nagoya Univ., 3.R.I.E., 4.KURNS, 5.IMaSS Nagoya Univ., 6.ROHM Co., Ltd.)

Keywords:

neutron detection semiconductor,BGaN,QST substrate

BGaNは大きな中性子捕獲断面積を持つB原子を含むことから、新規中性子検出半導体として提案され開発が行われている。これまでの研究では、作製が容易であるが大口径化が難しいAl₂O₃基板上にBGaNデバイスを作製し、中性子検出特性評価を実施していた。本研究では大口径化に着目し、大口径化が容易なSi, QST基板上にBGaNデバイスを作製した。詳細な中性子検出特性を評価するため、MINE-1(JRR-3)にて長波長中性子を用いて中性子検出特性評価を実施した。