[20a-A24-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:00 〜 10:15

[20a-A24-5] 長波長中性子照射によるSi基板及びQST基板上に作製したBGaN検出器の中性子検出特性評価

〇安藤 光佑¹、西川 瞬¹、櫻井 辰大¹、川崎 晟也²、日野 正裕⁴、本田 善央⁵、天野 浩⁵、松本 倖汰⁶、伊藤 範和⁶、田中 岳利⁶、中原 健⁶、井上 翼¹、青木 徹³、中野 貴之^1,3 (1.静岡大、2.名古屋大、3.静岡大電研、4.京都大複合研、5.名古屋大IMaSS、6.ローム株式会社)

キーワード：

中性子検出半導体、BGaN、QST基板

BGaNは大きな中性子捕獲断面積を持つB原子を含むことから、新規中性子検出半導体として提案され開発が行われている。これまでの研究では、作製が容易であるが大口径化が難しいAl₂O₃基板上にBGaNデバイスを作製し、中性子検出特性評価を実施していた。本研究では大口径化に着目し、大口径化が容易なSi, QST基板上にBGaNデバイスを作製した。詳細な中性子検出特性を評価するため、MINE-1(JRR-3)にて長波長中性子を用いて中性子検出特性評価を実施した。