[20a-A31-1~11] 17.3 Layered materials

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[20a-A31-4] TEM atomic resolution analysis of effect of interface layer on crystallographic orientation of MoS₂ on sapphire substrate

〇Emi Kano¹, Toshiki Yasuno¹, Xu Yang¹, Yoshiki Sakuma², Nobuyuki Ikarashi¹ (1.Nagoya Univ., 2.NIMS)

Keywords:

MoS2,TEM,MOCVD

MOCVDを用いたサファイア基板上でのMoS₂エピタキシャル成長において、界面構造がMoS₂膜の配向性に与える影響を解明することを目的とし、多結晶膜と単結晶に近いMoS₂単層膜のTEM平面・断面構造解析を行った。断面観察の結果、これらの膜ではMoS₂とサファイアの間の界面の構造に違いがあることを見出した。この結果は、界面構造の違いがMoS₂の配向性に影響を与えることを示唆している。