[20a-A31-1~11] 17.3 層状物質

9:45 〜 10:00

[20a-A31-4] MOCVD-MoS₂/sapphireの結晶方位に界面層が与える影響のTEM解析

〇狩野 絵美¹、安野 寿輝¹、楊 旭¹、佐久間 芳樹²、五十嵐 信行¹ (1.名古屋大、2.NIMS)

キーワード：

MoS2、透過型電子顕微鏡、MOCVD

MOCVDを用いたサファイア基板上でのMoS₂エピタキシャル成長において、界面構造がMoS₂膜の配向性に与える影響を解明することを目的とし、多結晶膜と単結晶に近いMoS₂単層膜のTEM平面・断面構造解析を行った。断面観察の結果、これらの膜ではMoS₂とサファイアの間の界面の構造に違いがあることを見出した。この結果は、界面構造の違いがMoS₂の配向性に影響を与えることを示唆している。