[20a-P06-1~6] 13.3 Insulator technology

[20a-P06-1] Elucidation of the mechanism of interface dipole modulation in Al₂O₃/SnO_x/SiO₂ structures

〇Yoshiharu Kirihara¹, Sorato Mikawa¹, Kota Miura¹, Tomoki Yoshida¹, Shunichi Ito¹, Akira Yasui², Ryousuke Ishikawa¹, Hiroshi Nohira¹ (1.Tokyo City Univ., 2.JASRI)

Keywords:

Interface Dipole Modulation,Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy,MOS structures

Al₂O₃/原子層厚SnO_x/SiO₂スタック構造でIDMによるスタック内部のポテンシャル変化が観測されているが、変調層の化学結合状態、すなわちSn-O結合形態の変化は明らかになっていない。本研究では、変調層にスズの酸化物を用いたAl₂O₃/SnO_x/SiO₂構造の試料を電圧印加硬X線光電子分光法(HAXPES)により測定し、SnO_x層の化学結合状態変化を直接観測することに成功した。