[20a-P06-1~6] 13.3 絶縁膜技術

[20a-P06-1] Al₂O₃/SnO_x/SiO₂構造における界面ダイポール変調機構の解明

〇桐原 芳治¹、三河 空斗¹、三浦 宏太¹、吉田 智貴¹、伊藤 俊一¹、保井 晃²、石川 亮佑¹、野平 博司¹ (1.都市大、2.高輝度光科学研究センター)

キーワード：

界面ダイポール変調、硬X線光電子分光法、MOS構造

Al₂O₃/原子層厚SnO_x/SiO₂スタック構造でIDMによるスタック内部のポテンシャル変化が観測されているが、変調層の化学結合状態、すなわちSn-O結合形態の変化は明らかになっていない。本研究では、変調層にスズの酸化物を用いたAl₂O₃/SnO_x/SiO₂構造の試料を電圧印加硬X線光電子分光法(HAXPES)により測定し、SnO_x層の化学結合状態変化を直接観測することに成功した。