[20p-A22-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:15 PM - 1:30 PM JST(4:15 AM - 4:30 AM UTC)

[20p-A22-2] Exploring of Thin Film Growth and Lattice Matching of α-(In, Fe)₂O₃ and α-(In, Ga)₂O₃ on LiNbO₃ Substrates

〇Kazuki Shimazoe¹, Hiroyuki Nishinaka¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:

Ga2O3,In2O3,mist CVD

本研究ではコランダム構造酸化物用の成長基板としてLiNbO3に着目した。LiNbO3は様々なコランダム構造酸化物混晶系と格子整合可能な格子定数を有している。本発表ではα-(In, Ga)2O3やα-(In, Fe)2O3に関する報告を行う。α-(In, Fe)2O3に関しては相分離が見られる組成があるものの、全組成比に渡ってLiNbO3上への薄膜成長に成功した。