[20p-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:15 〜 13:30

[20p-A22-2] LiNbO₃基板と格子整合可能なα-(In, Fe)₂O₃とα-(In, Ga)₂O₃の薄膜成長

〇島添 和樹¹、西中 浩之¹ (1.京都工繊電子)

キーワード：

Ga2O3、In2O3、ミストCVD

本研究ではコランダム構造酸化物用の成長基板としてLiNbO3に着目した。LiNbO3は様々なコランダム構造酸化物混晶系と格子整合可能な格子定数を有している。本発表ではα-(In, Ga)2O3やα-(In, Fe)2O3に関する報告を行う。α-(In, Fe)2O3に関しては相分離が見られる組成があるものの、全組成比に渡ってLiNbO3上への薄膜成長に成功した。