[20p-A31-1~14] 17.3 Layered materials

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[20p-A31-10] NbS₂ as a TMDC metal with a high effective work function

〇Koki Hori^1,2, Wen-Hsin Chang¹, Toshifumi Irisawa¹, Atsushi Ogura^2,3, Naoya Okada¹ (1.AIST, 2.Meiji Univ., 3.MREL)

Keywords:

TMDC,NbS2,work function

我々は、TMDCチャネル向けのコンタクト材料として、金属のTMDCに着目しており、これまでに、Nbを600 ℃以上のH₂S熱処理をすることで、二次元層状金属のNbS₂を形成できることを示している。本研究では、熱酸化膜（SiO₂）/Si基板上にNbS₂をH₂S熱処理により形成して、MOSキャパシタを作製し、フラットバンド電圧VfbからNbS2の実効仕事関数（eWF）を調べたところ、4.8 eVの高いeWFを示した。NbS₂はTMDCチャネルpFET向けのコンタクト材料として期待できる。