[20p-A31-1~14] 17.3 層状物質

15:45 〜 16:00

[20p-A31-10] 二次元層状金属NbS₂の実効仕事関数評価

〇堀 幸妃^1,2、張 文馨¹、入沢 寿史¹、小椋 厚志^2,3、岡田 直也¹ (1.産総研、2.明治大、3.明治大MREL)

キーワード：

TMDC、NbS2、仕事関数

我々は、TMDCチャネル向けのコンタクト材料として、金属のTMDCに着目しており、これまでに、Nbを600 ℃以上のH₂S熱処理をすることで、二次元層状金属のNbS₂を形成できることを示している。本研究では、熱酸化膜（SiO₂）/Si基板上にNbS₂をH₂S熱処理により形成して、MOSキャパシタを作製し、フラットバンド電圧VfbからNbS2の実効仕事関数（eWF）を調べたところ、4.8 eVの高いeWFを示した。NbS₂はTMDCチャネルpFET向けのコンタクト材料として期待できる。