[20p-A31-1~14] 17.3 Layered materials

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[20p-A31-13] Dependence of contact electrode shape on Ti/h-BN/CVD-monolayer MoS₂ interface

〇Daiki Tsuruoka¹, Takahiko Endo², Yasumitsu Miyata², Nobuyuki Aoki¹, Mengnang Ke¹ (1.Chiba univ., 2.Tokyo Metropolitan Univ.)

Keywords:

Two-dimensional materials,MIS interface

近年,シリコンを用いた半導体デバイスにはスケーリングの限界がきており,それに代わる新たな材料として遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)が挙げられる.TMDCは２次元半導体であり短チャネル効果を抑制できることからFETとしての研究が非常に盛んである.しかしながら,MIS界面の研究は少ない.なぜなら２次元半導体ゆえのMISキャパシタの測定の難しさがある.今回は２次元材料であり,高い平坦性と結晶性を持つことから広く使われている絶縁体の六方晶窒化ホウ素(h-BN)とn型半導体であり,TMDCの中で最も研究されている素材である２硫化モリブデン(MoS₂)によってCVD-monolayer MoS­₂ MISキャパシタを作製し,接触金属の面積差による静電容量特性について,議論・考察する.