[20p-A31-1~14] 17.3 層状物質

16:30 〜 16:45

[20p-A31-13] CVD-monolayer MoS₂ MISキャパシタにおける接触電極の形状依存性

〇鶴岡 大樹¹、遠藤 尚彦²、宮田 耕充²、青木 伸之¹、柯 梦南¹ (1.千葉大工、2.東京都立大)

キーワード：

２次元物質、MIS界面

近年,シリコンを用いた半導体デバイスにはスケーリングの限界がきており,それに代わる新たな材料として遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)が挙げられる.TMDCは２次元半導体であり短チャネル効果を抑制できることからFETとしての研究が非常に盛んである.しかしながら,MIS界面の研究は少ない.なぜなら２次元半導体ゆえのMISキャパシタの測定の難しさがある.今回は２次元材料であり,高い平坦性と結晶性を持つことから広く使われている絶縁体の六方晶窒化ホウ素(h-BN)とn型半導体であり,TMDCの中で最も研究されている素材である２硫化モリブデン(MoS₂)によってCVD-monolayer MoS­₂ MISキャパシタを作製し,接触金属の面積差による静電容量特性について,議論・考察する.