[20p-A31-1~14] 17.3 Layered materials

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[20p-A31-5] Carrier Modulation of Monolayer MoS₂ by Remote Ferroelectric Doping and the Screening Effect Induced by h-BN Spacer Layers

〇KAIPENG RONG¹, Ryosuke Noro², Hayato Nishigaki², Mingda Ding², Yao Yao², Taiki Inoue², Ryuji Katayama², Yoshihiro Kobayashi², Kazunari Matsuda³, Shinichiro Mouri¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.Osaka Univ., 3.Kyoto Univ.)

Keywords:

TMDs,Doping,Ferroelectric

MoS₂は代表的な遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDs)材料として、次世代光・電子デバイスへの応用が期待されている。本研究では、異なる厚さのh-BN中間層を使用し、強誘電基板によるリモートドーピング法を提案する。我々の研究は、強誘電ドーピング手法を発展させ、基板の分極方向を制御することとh-BN中間層を導入することによって単層MoS₂キャリア密度をリモートで空間変調させる可能性を示し、h-BN厚みの変化による効果を調べた。