[20p-A31-1~14] 17.3 層状物質

14:15 〜 14:30

[20p-A31-5] 強誘電リモートドーピングによる単層MoS₂のキャリア変調およびh-BN中間層による遮蔽効果

〇栄 凱蓬¹、野呂 諒介²、西垣 颯人²、丁 明达²、姚 瑶²、井ノ上 泰輝²、片山 竜二²、小林 慶裕²、松田 一成³、毛利 真一郎¹ (1.立命館大理工、2.阪大工、3.京大エネ研)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、ドーピング、強誘電体

MoS₂は代表的な遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDs)材料として、次世代光・電子デバイスへの応用が期待されている。本研究では、異なる厚さのh-BN中間層を使用し、強誘電基板によるリモートドーピング法を提案する。我々の研究は、強誘電ドーピング手法を発展させ、基板の分極方向を制御することとh-BN中間層を導入することによって単層MoS₂キャリア密度をリモートで空間変調させる可能性を示し、h-BN厚みの変化による効果を調べた。