[20p-A31-1~14] 17.3 Layered materials

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[20p-A31-7] Evaluation of F6-TCNNQ monolayer deposition on WSe₂

〇Kensho Matsuda¹, Takuya Kojima¹, Yuto Noguchi¹, Mengnan Ke¹, Shohei Kumagai², Toshihiro Okamoto², Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba Univ., 2.Tokyo Tech Univ.)

Keywords:

Transition Metal Dichalcogenides,layered material,F6-TCNNQ

これまでの研究でWSe₂上へのF6-TCNNQ成膜によってWSe₂に対するp型ドーピング効果が確認されている．F6-TCNNQ成膜状況の不均一性はキャリア密度の違いを生みFET特性に影響を及ぼすものの評価がなされていなかった．本研究ではF6-TCNNQ成膜時とその後の真空アニール条件による成膜状況についてAFMによる表面観察とFET特性評価をもとに, F6-TCNNQ単分子層形成について議論する．