[20p-A31-1~14] 17.3 層状物質

14:45 〜 15:00

[20p-A31-7] WSe₂上におけるF6-TCNNQ単分子層形成評価

〇松田 健生¹、小島 拓也¹、野口 裕士¹、柯 梦南¹、熊谷 翔平²、岡本 敏宏²、青木 伸之¹ (1.千葉大院、2.東工大院)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)、層状物質、F6-TCNNQ

これまでの研究でWSe₂上へのF6-TCNNQ成膜によってWSe₂に対するp型ドーピング効果が確認されている．F6-TCNNQ成膜状況の不均一性はキャリア密度の違いを生みFET特性に影響を及ぼすものの評価がなされていなかった．本研究ではF6-TCNNQ成膜時とその後の真空アニール条件による成膜状況についてAFMによる表面観察とFET特性評価をもとに, F6-TCNNQ単分子層形成について議論する．