[20p-B3-1~15] 6.3 Oxide electronics

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[20p-B3-10] Doping effects on ZnO layer in transparent ReRAM with multi-component n-type oxide semiconductor thin films

〇Kyosuke Kimura¹, Gakuto Terasawa¹, Soma Yoshida¹, Toshihiro Miyata¹ (1.KIT)

Keywords:

ReRAM,n-type oxide semiconductor,thin film

これまでの先行研究において、ZnOベース多元系酸化物半導体薄膜を抵抗変化層として採用し、透光性を持つ透明ReRAMを実現している。しかしながら、ノンドープZnO薄膜を抵抗変化層として用いるReRAMにおいては、高抵抗と低抵抗時の十分な抵抗変化幅が得られないといった問題があった。そこで今回、抵抗変化幅の増大を目的として、抵抗変化層であるZnO層へのLiドーピングを試み、透明ReRAMのメモリ特性への影響にについて詳細に検討したので報告する。