[20p-B3-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

15:30 〜 15:45

[20p-B3-10] 多元系n型酸化物半導体薄膜を用いる透明ReRAMにおけるZnO抵抗変化層へのドーピング効果の検討

〇木村 京介¹、寺澤 楽徒¹、吉田 将真¹、宮田 俊弘¹ (1.金工大)

キーワード：

抵抗変化型メモリ、n型酸化物半導体、薄膜

これまでの先行研究において、ZnOベース多元系酸化物半導体薄膜を抵抗変化層として採用し、透光性を持つ透明ReRAMを実現している。しかしながら、ノンドープZnO薄膜を抵抗変化層として用いるReRAMにおいては、高抵抗と低抵抗時の十分な抵抗変化幅が得られないといった問題があった。そこで今回、抵抗変化幅の増大を目的として、抵抗変化層であるZnO層へのLiドーピングを試み、透明ReRAMのメモリ特性への影響にについて詳細に検討したので報告する。