[20p-B3-1~15] 6.3 Oxide electronics

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[20p-B3-13] Nanogap IGZO hydrogen gas sensor

〇Taku Yazawa¹, Keisuke Ide^1,2, Seiichiro Izawa¹, Toshio Kamiya^1,2, Yutaka Majima¹ (1.Tokyo tech., 2.MDX Tokyo tech.)

Keywords:

IGZO,gas sensor

電子線リソグラフィ(EBL)により白金ナノギャップ電極を作製した。作製したPtギャップ電極のギャップ長は50 nmと1 µm、電極幅は50 µmである。RFスパッタリングにより、膜厚30 nmのIGZOを白金ナノギャップ上に成膜した。ギャップ長50 nmのナノギャップガスセンサは、1 µmギャップ長と比較して、応答・回復時間が早く、感度が優れている。