[20p-B3-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

16:15 〜 16:30

[20p-B3-13] ナノギャップIGZO水素ガスセンサー

〇矢澤 卓¹、井手 啓介^1,2、伊澤 誠一郎¹、神谷 利夫^1,2、真島 豊¹ (1.東工大フロ研、2.東工大元素セ)

キーワード：

IGZO、ガスセンサー

電子線リソグラフィ(EBL)により白金ナノギャップ電極を作製した。作製したPtギャップ電極のギャップ長は50 nmと1 µm、電極幅は50 µmである。RFスパッタリングにより、膜厚30 nmのIGZOを白金ナノギャップ上に成膜した。ギャップ長50 nmのナノギャップガスセンサは、1 µmギャップ長と比較して、応答・回復時間が早く、感度が優れている。