Presentation Information
[20p-C32-2]Dependence of electrical properties of nanocrystalline silicon/silicon oxide composite films on composition
〇Kaori Takagi1, Asaki Arata2, Yasuyoshi Kurokawa2,3, Atsushi Masuda1,4, Noritaka Usami2,3,5, Kazuhiro Gotoh1,2,4 (1.Niigata Univ., 2.Nagoya Univ., 3.InFuS, Nagoya Univ., 4.IRCNT, Niigata Univ., 5.IMaSS, Nagoya Univ.)
Keywords:
passivating contact,nanostructure,fabrication and evaluation
近年、極薄SiOxを保護膜としたc-Si太陽電池が高い 変換効率を達成した。さらなる高い性能と信頼性のデバイスの実現に向けて我々は、nc-SiをSiOx膜に埋め込む構造(NATURE contact)を提案し、電気特性の向上を目指している。本研究では、NATURE contactの組成が電気特性に与える影響を実験で検討した。具体的には、SiH4とCO2の流量を調整し、AESで組成を評価し、I-V特性を測定した。結果として、酸素濃度の増加が導電性低下を引き起こすことが判明した。このことより、NATURE contactの組成制御によるデバイスの性能を制御できる可能性が示された。
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