[20p-C32-1~11] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[20p-C32-4] Crystalline Si solar cells featuring TiO_x hole/electron contacts

〇Takuya Matsui^1,2, Shohei Fukaya^1,2, Shona McNab³, Hitoshi Sai¹, Kazuhiro Gotoh^2,4, Noritaka Usami², Ruy Sebastian Bonilla³ (1.AIST, 2.Nagoya Univ., 3.Oxford Univ., 4.Niigata Univ.)

Keywords:

solar cell,titanium oxide,silicon

高効率な結晶シリコン太陽電池を作製する新技術として金属酸化物等を用いたキャリア選択性パッシベーティングコンタクト（Carrier Selective Passivating Contact）が注目されている。我々はこれまでに、ALD法で製膜した酸化チタン（TiO_x）薄膜が結晶シリコンから取り出すキャリアの選択性を制御できることを見出し、TiO_xの正孔・電子コンタクトとしての性能を評価してきた。今回は、結晶シリコン太陽電池の表裏にTiO_xを形成したドーパントフリーかつ同一材料を正・負極のコンタクトに用いたセルの実証を試みた。また、TiO_xが両極性の材料として振る舞うメカニズムについて調査した。