[20p-C42-1~6] 15.4 III-V-group nitride crystals

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[20p-C42-1] AlN template on sapphire substrate (1) -Growth mode dependence-

〇Koji Okuno^1,2, Hibiki Muto², Sena Miura², Masaki Ohya¹, Yoshiki Saito^1,2, Hisanori Ishiguro², Satoshi Kamiyama², Motoaki Iwaya², Tetsuya Takeuchi² (1.Toyoda Gosei, 2.Meijo Univ.)

Keywords:

UVC,AlN,LED

UVC-LEDの高効率化の為には、サファイア基板上に低転位密度かつクラックを持たないAlNテンプレート層を成長させる必要である。高品質な AlN層を得る為には、核生成層、3次元成長層、2次元平坦化層の順にAlN層の成長モードを制御することが重要である。本研究では1200℃以下の比較的低い成長温度で、各層の成長モードを制御することで、ピットおよびクラックを持たない平坦な表面のAlN層が得られた。