[20p-C42-1~6] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:30 〜 13:45

[20p-C42-1] サファイア基板上AlNテンプレートの検討(1) -成長モード依存性-

〇奥野 浩司^1,2、武藤 響己²、三浦 聖央²、大矢 昌輝¹、齋藤 義樹^1,2、石黒 永孝²、上山 智²、岩谷 素顕²、竹内 哲也² (1.豊田合成㈱、2.名城大・理工)

キーワード：

深紫外、窒化アルミニウム、発光ダイオード

UVC-LEDの高効率化の為には、サファイア基板上に低転位密度かつクラックを持たないAlNテンプレート層を成長させる必要である。高品質な AlN層を得る為には、核生成層、3次元成長層、2次元平坦化層の順にAlN層の成長モードを制御することが重要である。本研究では1200℃以下の比較的低い成長温度で、各層の成長モードを制御することで、ピットおよびクラックを持たない平坦な表面のAlN層が得られた。