[20p-C42-1~6] 15.4 III-V-group nitride crystals

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[20p-C42-2] AlN template on sapphire substrate (2) -Effect of AlGaN nucleation layer-

〇Koji Okuno^1,2, Hibiki Muto², Sena Miura², Masaki Ohya¹, Yoshiki Saito^1,2, Hisanori Ishiguro², Satoshi Kamiyama², Motoaki Iwaya², Tetsuya Takeuchi² (1.Toyoda Gosei, 2.Meijo Univ.)

Keywords:

UVC,AlN,Nucleation Layer

サファイア基板上UVC-LEDの発光層から放射した光取出効率は、エピタキシャル層とサファイア基板、空気との屈折率差によるLED素子内部での全反射によって低い。我々はレーザリフトオフによるサファイア基板剥離技術に着眼し、犠牲層となるサファイア基板上AlN層の核形成層をAlNからAlGaNへ変更する検討を行った。そして、核形成層のGa組成を変化させた時のAlN層の結晶品質を調査したので報告する。