[20p-C42-1~6] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:45 〜 14:00

[20p-C42-2] サファイア基板上AlNテンプレートの検討(2) -AlGaN核形成層の効果-

〇奥野 浩司^1,2、武藤 響己²、三浦 聖央²、大矢 昌輝¹、齋藤 義樹^1,2、石黒 永孝²、上山 智²、岩谷 素顕²、竹内 哲也² (1.豊田合成㈱、2.名城大・理工)

キーワード：

深紫外、窒化アルミニウム、核形成層

サファイア基板上UVC-LEDの発光層から放射した光取出効率は、エピタキシャル層とサファイア基板、空気との屈折率差によるLED素子内部での全反射によって低い。我々はレーザリフトオフによるサファイア基板剥離技術に着眼し、犠牲層となるサファイア基板上AlN層の核形成層をAlNからAlGaNへ変更する検討を行った。そして、核形成層のGa組成を変化させた時のAlN層の結晶品質を調査したので報告する。