[20p-C42-1~6] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20p-C42-3] AlN template on sapphire substrate (3) -Substrate exfoliation-

〇(M1)Sena Miura¹, Maho Fujita¹, Naoki Hamashima¹, Ryunosuke Oka¹, Teppei Takehisa¹, Hibiki Muto¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Hisanori Isiguro¹, Koji Okuno^1,2, Yoshiki Saito^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Toyoda Gosei)

Keywords:

UVC,AlGaN,substrate exfoliation

深紫外LEDの光取り出し効率改善の手段の一つとしてレーザーリフトオフ(LLO)によるサファイア基板の剥離が考えられる。しかし、深紫外LEDのLLOは報告例が少ない。これはLLO時に形成されるAlドロップレットが剥離を困難にさせる可能性が指摘されるためである。我々はサファイア基板上にAlGaN層を成長させた試料でLLOを行い、そのAlGaN層の効果と剥離機構に関する結果を報告する。