[20p-C42-1~6] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[20p-C42-3] サファイア基板上AlNテンプレートの検討(3)－基板剥離－

〇(M1)三浦 聖央¹、藤田 真帆¹、浜島 直紀¹、岡 龍乃介¹、竹久 哲平¹、武藤 響己¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、石黒 永孝¹、奥野 浩司^1,2、齋藤 義樹^1,2 (1.名城大理工、2.豊田合成㈱)

キーワード：

深紫外、窒化アルミニウムガリウム、基板剥離

深紫外LEDの光取り出し効率改善の手段の一つとしてレーザーリフトオフ(LLO)によるサファイア基板の剥離が考えられる。しかし、深紫外LEDのLLOは報告例が少ない。これはLLO時に形成されるAlドロップレットが剥離を困難にさせる可能性が指摘されるためである。我々はサファイア基板上にAlGaN層を成長させた試料でLLOを行い、そのAlGaN層の効果と剥離機構に関する結果を報告する。