[20p-C42-1~6] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20p-C42-5] Influences of Mg doping on hole concentration in polarization-doped AlGaN graded layer on AlN

〇Teppei Takehisa¹, Hayata Takahata¹, Ryunosuke Oka¹, Hibiki Muto¹, Naoki Hamashima¹, Sena Miura¹, Hisanori Idhiguro¹, Motonari Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Yoshiki Saito², Koji Okuno² (1.Meijo Univ., 2.TOYODA GOSEI Co.)

Keywords:

Polarization doping,AlGaN,Deep ultra violet LEDs

深紫外 LED や深紫外レーザーには、分極ドーピングによる組成傾斜 AlGaN 層が採用されてい る。一方で、この分極ドープ組成傾斜 AlGaN 層の正孔濃度を直接測定した報告例は少ない。さら に、GaN 上では Mg 添加をしない組成傾斜 AlGaN 層での正孔濃度に関する報告例はあるものの 、AlN上でMg添加をしない組成傾斜AlGaN層での正孔濃度に関する報告例は我々が知る限り ない。今回、我々は AlN 上で AlGaN コンタクト層を有し、Mg を添加した組成傾斜 AlGaN 層で p 型を示した試料をベースに、Mg 添加しない試料を作製し、ホール効果測定を行い、比較した。